广和通丨凭小见大，以简驭繁：MagiCore 2.0凭硬核实力，领跑2025 <span style='color:red'>AI</span>+应用创新榜
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广和通丨凭小见大，以简驭繁：MagiCore 2.0凭硬核实力，领跑2025 AI+应用创新榜

　　近日，在ICT行业权威全媒体平台C114通信网发起的“2025年度AI+‘硬核’榜单”征集活动中，广和通凭借融合4G蜂窝连接和AI交互算法、Agent定制的MagiCore 2.0机芯盒，在众多参选产品中脱颖而出，成功入选该榜单。　　本次“2025年度AI+‘硬核’榜单”以“融合创新·智领变革”为主题，旨在发掘并表彰在人工智能与信息通信产业深度融合中表现卓越的标杆产品与企业。广和通此次获奖，再次彰显了其在智能终端领域的深厚技术积淀与敏锐的市场洞察力。　　MagiCore 2.0的核心竞争优势在于它并非简单的硬件堆叠，而是实现了4G全网通能力与AI语音算法、AI Agent定制的深度融合。MagiCore 2.0机芯盒具备精巧尺寸、便携易用、低功耗及IP Agent定制等优势，为AI毛绒包挂等端侧AI场景带来全新的个性化交互体验。极致尺寸设计极大降低了终端集成的难度，使便携式、小型化AI设备的开发变得更加高效。针对移动端应用痛点，该产品在保持强大算力的同时实现了卓越的功耗控制，确保了终端设备的长效续航。　　在IP Agent深度定制方面，MagiCore 2.0通过支持IP Agent定制化功能，MagiCore 2.0赋予了终端产品独特的“灵魂”。例如，在AI毛绒玩具、智能包挂等潮玩领域，它能够支撑起复杂的情感交互与个性化对话，让静态产品跃升为具备智能交互能力的数字化伴侣。　　作为新质生产力的典型代表，广和通正持续通过创新的无线通信和AI计算能力，助力千行百业实现数智化转型。此次获得C114“2025年度AI+‘硬核’榜单”表彰，不仅是对MagiCore 2.0产品力的认可，更是对广和通深耕AI生态、不断突破行业边界的肯定。未来，广和通将继续携手全球合作伙伴，探索更多“AI+”可能，为用户创造更智慧、更丰富的交互生活。
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发布时间：2026-02-02 11:18 阅读量：210 继续阅读>>
2025胡润中国人工智能企业50强：<span style='color:red'>AI</span>芯片企业包揽前三！
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2025胡润中国人工智能企业50强：AI芯片企业包揽前三！

　　2026年1月19日，胡润研究院于北京亦庄发布《2025胡润中国人工智能企业50强》，按照企业价值进行排名。上市公司市值按照2026年1月9日的收盘价计算，非上市公司估值参考同行业上市公司或者根据最新一轮融资情况进行估算。榜单如下：　　这是继2024年后的第二次权威榜单发布。本次榜单聚焦于主营业务为AI算力或算法的中国企业。以下三类企业不符合这一界定，因此不参与企业价值排名：其一，具身智能企业，包括机器人(如优必选)、智能飞行器(如大疆)和智能家居(如科沃斯)等。其二，AI不是目前主营业务的企业，如大模型领域的字节跳动、人工智能数据中心领域的润泽科技、AI服务器领域的浪潮信息等。其三，以基础研究/开源为先，商业化程度不充分的企业，例如DeepSeek。　　在众多上榜企业中，AI芯片企业表现尤为抢眼，包揽了榜单前三名，分别是寒武纪、摩尔线程和沐曦，且在前十名中占据了7席。新上榜企业共有18家，其中10家为AI芯片公司。　　胡润集团董事长兼首席调研官胡润表示：“2025年，中国AI的地位正在显著增强。2025年初，DeepSeek以颠覆性的性价比横空出世。2025年末，问世仅9个月的Manus被Meta收购，这是Meta自成立以来的第三大并购。过去一年里，第三方AI模型聚合平台OpenRouter记录了100万亿个token的使用数据，结果显示：2024年末时，中国开源模型的市场份额最低仅1.2%，此后显著增长，最高时占比接近30%。”　　“今年AI芯片上榜企业数量明显增长，上榜达到14家，比去年增加9家。榜单前三名均是AI芯片相关企业。核心原因是美国持续收紧高端AI芯片出口管制，倒逼国内加速算力自主。最近2个月，我们见证了摩尔线程、沐曦股、壁仞科技、天数智芯的接连上市。新上榜的企业共18家，超过榜单1/3，其中有10家是AI芯片相关公司，以上海GPU四小龙为代表。”
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发布时间：2026-01-23 16:02 阅读量：330 继续阅读>>
太阳诱电丨可以“看见”的“气味”?气味可视化的技术开发，<span style='color:red'>AI</span>加速了的气味分析技术（1）
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太阳诱电丨可以“看见”的“气味”?气味可视化的技术开发，AI加速了的气味分析技术（1）

　　大家知道人类是如何感知“气味”的吗?嗅觉是五感中研究最晚的。关于被谜团包围的“气味”将给我们带来怎么样的的未来，为了，我们采访了太阳诱电株式会社负责新“气味传感器”开发的服部将志先生。　　被视觉欺骗吗?迷雾重重的“气味”世界　　主管研发工作的服部先生说道:“人类的嗅觉，其实并不那么靠谱”。　　“气味”到底是什么?气味传感器的研发是从“了解气味”出发的。采访伊始，服部先生就告诉我们这样一个实验案例。　　服部：例如，如果让受试者边看苹果的图画边闻苹果的气味，几乎所有人都知道那就是苹果的气味。但是，如果只让受试者闻气味，正确率则约为50%。因为人类的嗅觉是在补充视觉等信息之后感觉到的。　　在动物感受气味上起到重要作用的是捕捉气味的“嗅觉感受器”。就是所谓的传感器般的存在。直到1990年代，嗅觉感受器的存在才得到确认，人类感受气味的构造终于被揭密。　　――是什么样的构造呢?　　服部：气味分子与嗅觉感受器的关系，可以说就像“钥匙”与“锁孔”。气味分子(钥匙)与嗅觉感受器(锁孔)紧密契合，就会感觉到气味。　　服部：并且，人类有嗅觉细胞，这种细胞起到类似转换器的作用，嗅觉细胞将嗅觉感受器捕捉到的气味转换为电信号后，传递到大脑，与过去的气味记忆比对，判断这是哪种气味。　　――也就是说，嗅觉感受器的种类越多，能否分辨的气味种类越多吗?　　服部：是的。人类拥有的嗅觉感受器约有400种，而狗的嗅觉感受器约有800种，据说狗的嗅觉比人灵敏1,000倍～1亿倍。并且，线虫的嗅觉感受器比狗还多，有1,200种。　　实际上，据说对于早期癌症患者的尿液气味，线虫的反应概率高达90%。有利用线虫的嗅觉制作的癌症诊断试剂盒，只需1滴尿液就能做出判定，线虫的嗅觉出类拔萃。
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发布时间：2026-01-23 13:31 阅读量：349 继续阅读>>
<span style='color:red'>AI</span>机器人之巅！优必选携航顺 HK32MCU 开启机器人先享计划
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AI机器人之巅！优必选携航顺 HK32MCU 开启机器人先享计划

　　在全球智能机器人产业加速迭代的浪潮中，核心技术的自主可控与性能优化成为企业竞争的关键壁垒。作为全球领先的人工智能与机器人企业，优必选始终以全栈式技术布局引领行业创新;而航顺芯片作为国家级专精特新重点“小巨人”企业，凭借高性能HK32MCU系列芯片成为国产替代的急先锋。当两者达成深度战略合作，优必选搭载航顺HK32MCU的机器人解决方案应运而生，不仅实现了市场竞争的突破性进展，更开启了国产核心器件赋能智能机器人产业的全新篇章。，时长00:37一、优必选携手航顺HK32MCU，共筑市场竞争新优势当前，全球服务机器人市场规模持续扩容，2025年已突破千亿元，年复合增长率达18%，但同时也面临核心芯片依赖进口、成本控制压力大、场景适配要求高等诸多挑战。优必选虽已构建起覆盖“硬件组件-软件算法-系统集成”的全栈式技术体系，掌握了伺服系统、运动控制、AI融合等核心技术，但在核心控制芯片的国产化适配与性能优化上仍有提升空间。　　航顺HK32MCU系列芯片的加入，为优必选的技术升级与市场突破提供了关键支撑。作为国内32位MCU领域的领军产品，航顺HK32MCU不仅实现了对进口芯片的PIN TO PIN全兼容，更在性能、功耗、成本等方面具备显著优势。双方的携手，实现了“机器人全栈技术+国产高性能MCU”的精准匹配，有效解决了进口芯片供应不稳定、成本高昂等痛点，让优必选在消费级、商用级机器人市场的性价比优势进一步凸显，同时加速了其在工业控制、康养服务等新兴场景的布局，实现了市场竞争力的跨越式提升。　　二、航顺HK32MCU多维赋能，激活优必选市场增长新动能　　航顺HK32MCU对优必选的市场赋能，体现在技术支撑、成本优化、场景拓展三大核心维度，为其市场扩张注入强劲动力。在技术赋能上，航顺HK32MCU采用ARM Cortex-M4内核，最高时钟频率达168MHz，配备单精度浮点单元FPU，可高效处理机器人运动控制、多传感器数据融合等复杂计算任务，完美匹配优必选机器人对实时性、高精度控制的需求。其丰富的外设接口，包括10个USART、3个SPI、3个I2C、2个CAN以及以太网接口等，可无缝对接优必选的伺服关节、视觉传感器、导航模块等组件，大幅提升了系统集成效率与稳定性。在成本优化上，航顺HK32MCU凭借国产化生产优势与规模化效应，在保证高性能的同时实现了成本的精准控制。相较于进口同类芯片，其性价比优势显著，可帮助优必选进一步降低机器人核心控制单元的成本，让产品在消费级市场更具价格竞争力，同时为商用机器人的规模化落地奠定成本基础。，时长00:06在场景拓展上，航顺HK32MCU具备-40℃~105℃的工业级别工作温度范围和宽电压，可适应高温、严寒、高干扰等恶劣环境，配合低至3.3μA的待机功耗，让优必选机器人能够轻松适配户外巡检、工业车间、极端环境作业等特殊场景，有效拓展了其市场应用边界，打开了全新的增长空间。　　三、方案概述：国产化核心驱动的智能机器人控制体系　　优必选搭载航顺HK32MCU的机器人解决方案，以航顺HK32MCU为主控核心，深度融合优必选自主研发的伺服驱动技术、AI感知算法与机器人操作系统应用框架，构建了一套全链路国产化、高性能、高可靠的智能机器人控制体系。　　方案整体采用模块化设计，核心控制单元以HK32MCU芯片为核心，负责统筹处理机器人的运动规划、传感器数据采集与分析、人机交互指令解析等核心任务;通过实时高速以太网与优必选的伺服关节单元实现高速同步通信，保障机器人动作的流畅性与精准性;融合多传感器数据融合算法与定位导航技术，实现机器人在复杂环境下的自主定位、避障与路径规划;依托丰富的外设接口，可灵活扩展视觉识别、语音交互、远程控制等功能模块，适配不同场景的应用需求。　　该方案可广泛应用于消费级人形机器人、教育机器人、商用物流机器人、工业巡检机器人等多个品类，实现了从核心芯片到系统集成的全链路优化，为用户提供更智能、更稳定、更具性价比的机器人产品与服务。　　四、方案核心优势：性能、可靠、成本、生态的四重突破　　相较于传统解决方案，优必选搭载航顺HK32MCU的机器人解决方案具备四大核心优势，全方位提升产品竞争力。　　其一，高性能算力支撑。航顺HK32MCU芯片的168MHz高主频与FPU浮点运算单元，为优必选机器人的复杂算法运行提供了强劲算力保障。无论是多自由度关节的实时运动控制，还是视觉传感器的高速数据处理，都能高效完成，使机器人的响应速度快，动作精度与环境适应性显著增强。其二，高可靠性与稳定性。该方案通过了严格的工业级标准测试，航顺HK32MCU具备极强的抗干扰能力，可在恶劣电磁环境下稳定工作;宽温度与宽电压范围设计，让机器人能够适应不同场景的环境挑战，故障发生率低，大幅提升了产品的使用寿命与用户体验。其三，全链路成本优化。依托航顺HK32MCU的国产化成本优势，结合优必选的规模化生产能力，方案实现了核心控制单元的成本大幅降低。同时，HK32MCU与进口芯片的全兼容特性，无需修改原理图与PCB设计，有效缩短了产品研发周期，降低了研发成本，让产品更快推向市场，抢占先机。其四，开放兼容的生态体系。航顺HK32MCU拥有完善的开发工具链与技术支持体系，可与优必选的操作系统、算法开发平台完美兼容，支持开发者快速进行二次开发与功能拓展。同时，丰富的外设接口为方案的功能升级提供了充足空间，可轻松集成AI大模型、5G通信等新兴技术，持续提升产品的智能化水平。　　在国产替代加速推进与智能机器人产业蓬勃发展的双重背景下，优必选与航顺的强强联合，不仅打造了技术领先、性价比优异的机器人解决方案，更树立了“国产核心器件+整机企业”协同创新的行业典范。未来，随着双方合作的持续深化，必将推动更多高性能、国产化的智能机器人产品落地，为全球机器人产业的创新发展注入中国力量。
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发布时间：2026-01-23 10:44 阅读量：348 继续阅读>>
永铭丨<span style='color:red'>AI</span>算力背后的隐形英雄：Φ30×70mm 450V/1400µF、105℃/3000h的国产高压电容如何破解服务器电源三大难题
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永铭丨AI算力背后的隐形英雄：Φ30×70mm 450V/1400µF、105℃/3000h的国产高压电容如何破解服务器电源三大难题

　　在AI算力爆发的当下，数据中心正经历着前所未有的升级压力。作为AI服务器的“动力心脏”，AC-DC前端电源设计面临着前所未有的挑战：如何在有限的空间内实现更高的功率密度、更长的使用寿命和更强的可靠性?这不仅是技术问题，更是决定AI算力能否持续稳定输出的关键。　　永铭电子(YMIN)作为国内资深的电容器解决方案提供商，深耕高压电容领域多年，针对AI服务器电源的特殊需求，推出 IDC3系列高压液态牛角型铝电解电容，为解决行业痛点提供了创新性的技术方案。　　工况边界：　　• 位置：AC-DC前端PFC(功率因数校正)后DC-Link(直流母线)储能/滤波电容(典型方案)　　• 功率：4.5kW–12kW+;形态：1U机架式服务器电源/数据中心主供电源　　• 频率：随GaN(氮化镓)/SiC(碳化硅)应用提升，开关频率常见在数十kHz至百余kHz区间(以项目为准;本文引用规格书口径如120kHz)　　• 运行与热：数据中心常见7×24长时运行;电源内部热密度高，需关注电容壳温/寿命降额(典型高温工况)　　一、三大挑战：揭秘AI服务器电源设计中的高压电容困局　　在 AI服务器电源和数据中心主供电源AC-DC段的设计中，工程师们普遍面临三大挑战：　　①空间与容量的矛盾　　在1U机架式服务器的狭小空间内，传统常规规格牛角电容往往面临体积受限的困境。要在有限的高度内实现足够的储能容量，是设计高功率密度电源 必须克服的难题。　　②高温环境下的寿命挑战　　AI服务器机房环境温度普遍较高，电源内部热管理压力巨大。450V/1400μF电容 在105℃高温寿命挑战下的表现，直接关系到系统的长期可靠性。　　③高频化趋势下的性能要求　　随着GaN/SiC等新型功率器件的普及，电源开关频率不断提高，对电容的ESR和纹波电流能力提出了更高要求，以避免系统宕机风险。　　二、永铭IDC3：用技术重新定义高压电容的性能边界　　针对上述挑战，永铭IDC3系列从材料、结构、工艺三个维度实现了全面突破：　　1. 密度革命：在Φ30×70mm内实现70%容量提升　　采用 Φ30×70mm 的紧凑型牛角电容 封装，在标准1U服务器电源的典型净高约束内，实现了450V/1400μF的高容值。相比传统同尺寸产品，容量提升超过70%(对比对象为行业常见同尺寸Φ30×70mm、450V等级液态牛角电容的典型容量区间)，有效解决了高容量密度与空间矛盾。　　2. 寿命突破：105℃高温下的持久力考验　　通过优化电解液配方和阳极箔结构，IDC3系列在105℃严苛条件下的负载寿命表现优异。这种设计使得电容能够在数据中心高温环境下保持长期稳定，从容应对高温短寿的行业难题。　　3. 高频适配：为GaN/SiC时代量身打造　　采用低ESR设计，在120KHz高频下可承受更高的纹波电流。这一特性使IDC3系列能够更好适配基于GaN(氮化镓)/SiC(碳化硅)的高频开关拓扑(在规格书条件下)，为高功率密度电源的效率提升提供了有力支撑。区别于以低频纹波为主的传统母线电容选型，面向GaN(氮化镓)/SiC(碳化硅)平台的高功率密度电源更需要在规格书口径下同时校核ESR与高频纹波电流能力。　　注：本文关键参数来源于永铭 IDC3 系列规格书/测试报告;若未特别说明，ESR/纹波电流按规格书标注条件(如 120kHz)口径描述，具体以最新版规格书为准。　　三、协同创新：从4.5KW到12KW的可靠性与性能验证　　永铭与业内知名的GaN功率半导体厂商纳微(Navitas)等合作伙伴保持着深度技术协作(据公开信息)。在从4.5kW到12kW乃至更高功率等级的AI服务器电源项目中， IDC3系列高压液态牛角型铝电解电容 都展现了出色的性能表现。　　这种协同开发模式不仅验证了产品的可靠性，更为AI服务器电源的持续演进提供了坚实的技术基础。永铭IDC3系列已经成为多个高端AI服务器项目的优选方案(据公开信息)，其性能表现可对标国际一线品牌。　　四、不止于产品：永铭如何为AI服务器提供系统级解决方案　　在AI算力持续爆发的时代，供电系统的可靠性至关重要。永铭电子深谙 AI服务器电源设计的严苛要求，通过IDC3系列为行业提供了兼顾 高容量密度、长寿命和高可靠性的完整解决方案。　　以下为IDC3系列高压液态牛角型(基板自立型)铝电解电容器在AI服务器电源中的典型选型参考，助力您快速匹配系统需求：　　创新不止：永铭持续为AI基础设施注入稳定动能　　算力时代，稳定供电是基础。永铭电子以IDC3系列高压液态牛角型铝电解电容为核心，持续为AI算力基础设施提供值得信赖的电容支撑。我们不仅提供产品，更提供基于深度技术理解的系统级解决方案。　　当您在设计下一代AI服务器电源时，永铭已准备就绪，以技术创新助力您突破设计边界，共同驾驭算力浪潮。　　Q&A　　Q：永铭IDC3系列高压电容如何解决AI服务器电源的痛点?　　A： 永铭IDC3系列高压液态牛角型铝电解电容从三个维度提供解决方案：　　①高密度设计–在Φ30×70mm尺寸内实现450V/1400μF高容量，相比同尺寸产品容量提升超70%，解决空间与容量的矛盾;　　②高温长寿命–通过优化电解液和阳极结构，在105℃高温下保持3000小时负载寿命，提升系统长期可靠性;　　③高频适配–采用低ESR设计，支持120kHz高频工作，单颗纹波电流最高约4.12A(500V/1700μF，120kHz;450V/1400μF约2.75A，见文末选型表)，适配GaN/SiC高频拓扑，助力高功率密度电源设计。　　适用标签： #永铭电容 #IDC3系列 #AI电源解决方案 #高频电容 #国产电容突破　　文末摘要　　"适用场景":　　"AI服务器电源AC-DC前端设计",　　"数据中心主供电系统",　　"1U高密度机架式服务器电源",　　"基于GaN/SiC的高频开关电源",　　"高功率密度(4.5kW-12kW+)AI算力电源"　　"核心优势":　　①"维度": "空间密度",　　"描述": "Φ30×70mm尺寸内实现450V/1400μF，容量较同尺寸提升超70%，适配1U服务器高度限制"　　②"维度": "高温寿命",　　"描述": "105℃环境下负载寿命大于3000小时，适应数据中心高温运行环境"　　③"维度": "高频性能",　　"描述": "低ESR设计，在120KHz高频下可承受更高的纹波电流，适配GaN/SiC高频拓扑"　　④"维度": "系统验证",　　"描述": "已与Navitas等厂商协同验证，适用于4.5kW至12kW+ AI服务器电源项目"　　"推荐型号":　　选型三步法：　　Step1：按母线电压选择耐压等级并留降额裕量(如 450–500V 等级)　　Step2：按环境温度与热设计选择寿命口径(如 105℃/3000h)并评估温升　　Step3：按空间高度/直径约束匹配尺寸(如 Φ30×70mm)并核对纹波电流与ESR口径
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发布时间：2026-01-22 17:11 阅读量：347 继续阅读>>
英特尔宣布玻璃基板技术实现量产，克服<span style='color:red'>AI</span>芯片“翘曲壁垒”！
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英特尔宣布玻璃基板技术实现量产，克服AI芯片“翘曲壁垒”！

　　1月16日，英特尔(纳斯达克股票代码：INTC)正宣布其玻璃基板技术已实现量产(HVM)。这项技术的核心是英特尔位于亚利桑那州钱德勒市的先进工厂，它代表了近三十年来半导体封装领域最重大的变革之一，为定义下一代生成式人工智能的1000瓦处理器提供了必要的结构基础。　　此举的直接意义不容低估。英特尔通过以玻璃取代传统的有机树脂，打破了“翘曲壁垒”——这种现象指的是大型人工智能芯片与其外壳的热胀冷缩速率不一致，从而导致机械故障。到2026年初，这项突破不再是研究项目，而是英特尔最新服务器处理器的基石，也是其不断扩张的晶圆代工业务的关键服务，标志着该公司在人工智能硬件领域争夺主导地位的过程中，战略方向发生了重大转变。　　英特尔向玻璃基板的转型解决了芯片设计中一个迫在眉睫的危机：随着芯片尺寸的增大，诸如味之素增材制造膜(ABF)之类的有机材料无法保持平整和刚性。现代人工智能加速器通常将数十个“芯片组”集成到单个封装中，其尺寸和发热量都非常大，以至于传统基板在制造过程中或承受高热负荷时经常会发生翘曲或开裂。相比之下，玻璃具有超低的平整度和亚纳米级的表面粗糙度，为光刻工艺提供了近乎完美的“光学”表面。这种高精度使英特尔能够以十倍更高的互连密度蚀刻电路，从而实现万亿参数人工智能模型所需的海量I/O吞吐量。　　从技术角度来看，玻璃的优势具有变革性。英特尔 2026 年的封装方案与硅的热膨胀系数 (CTE) 相匹配(3–5 ppm/°C)，几乎完全消除了导致焊球开裂的机械应力。此外，玻璃的刚度远高于有机树脂，能够支持尺寸超过 100mm x 100mm 的“突破光罩限制”封装。为了连接这些巨型芯片的各个层，英特尔采用了间距小于 10μm 的高速激光蚀刻玻璃通孔 (TGV)。这一改进使处理核心和高带宽内存 (HBM4) 堆叠之间的数据传输信号损耗降低了 40%，能效提高了 50%。　　英特尔成功实现玻璃基板的大规模量产，标志着计算机发展史上的一个决定性转折点。通过突破有机材料的物理限制，英特尔不仅改进了单个组件，更重塑了现代人工智能赖以构建的基础。这一突破确保了人工智能计算的发展不会再受制于“翘曲壁垒”或散热限制，而是将在日益复杂高效的三维架构中焕发新生。　　展望2026年，业界将密切关注英特尔的良率及其代工服务的普及情况。“Clearwater Forest”至强处理器的成功将是“玻璃封装”技术在实际应用中的首次考验，其性能很可能决定其他厂商跟进的速度。目前，英特尔已重新夺回了关键的技术领先地位，这证明在人工智能霸主之争中，最重要的突破或许并非硅芯片本身，而是将硅芯片连接在一起的“玻璃封装”技术。
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发布时间：2026-01-20 13:08 阅读量：453 继续阅读>>
永铭丨<span style='color:red'>AI</span>服务器机柜BBU的毫秒级瞬态功率缺口：为什么“混合型超级电容（LIC）+BBU”更合适？
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永铭丨AI服务器机柜BBU的毫秒级瞬态功率缺口：为什么“混合型超级电容（LIC）+BBU”更合适？

　　AI服务器机柜在训练/推理负载快速切换时，会出现毫秒级(典型1–50 ms)的功率突变与直流母线(DC Bus)掉压风险。NVIDIA在介绍 GB300 NVL72 电源架设计时提到，其电源架内集成能量存储元件并配合控制器，实现机柜级的快速瞬态功率平滑(见参考资料[1])。　　工程实践中，用“混合型超级电容(LIC)+BBU(Battery Backup Unit，备用电源单元)”构成就近缓冲层，可把“瞬态响应”和“短时备电”分工解耦：LIC负责毫秒级补偿，BBU负责秒级到分钟级接管。本文给出工程师可复现的选型思路、关键指标清单与验证项，并以永铭SLF 4.0V 4500F(单体ESR≤0.8mΩ，持续放电电流200A，参数应引用规格书[3])为例给出配置建议与对比数据支撑。　　机柜BBU电源正在把“瞬态功率平滑”前置到近端　　随着单柜功耗走向百千瓦级，AI工作负载会在短时间内造成电流阶跃。若母线掉压超过系统阈值，可能触发主板保护、GPU错误或重启。为降低对上游供电与电网侧的峰值冲击，一些架构开始在机柜电源架内部引入能量缓冲与控制策略，使功率尖峰在机柜内被“就地吸收与释放”。这类设计的核心启示是：瞬态问题优先在离负载最近的位置解决。　　在搭载英伟达GB200/GB300等超高功率(千瓦级)GPU的服务器中，电源系统面临的核心挑战已从传统的备电，转变为应对毫秒级、数百千瓦级的瞬态功率冲击。传统以铅酸电池为核心的BBU备用电源方案，因其固有的化学反应延迟、高内阻及有限的动态电荷接受能力，在响应速度与功率密度上存在瓶颈，已成为制约单机柜算力提升与系统可靠性的关键因素。　　表1：三级混合储能模式在机柜BBU中的位置示意(表格框图)　　架构演进，从“电池备电”到“三级混合储能模式”　　传统BBU多以电池为核心储能。面对毫秒级功率缺口，电池受限于化学反应动力学与等效内阻，响应往往不如电容类储能敏捷。因此，机柜侧开始采用“LIC(瞬态)+BBU(短时)+UPS/HVDC(长时)”的分级策略：　　LIC并联于DC Bus近端：承担毫秒级功率补偿与电压支撑(高倍率充放电)　　BBU(电池或其他储能)：承担秒级到分钟级接管(系统按备电时长设计)　　机房级UPS/HVDC：承担更长时长的不间断供电与电网侧调节　　这种分工把“快变量”和“慢变量”解耦：既稳住母线，又降低储能单元长期应力与维护压力。　　深度解析：为何是永铭混合型超级电容?　　永铭混合型超级电容LIC(Lithium-ion Capacitor，锂离子电容)在结构上结合了电容的高功率特性与电化学体系的较高能量密度。在瞬态补偿场景中，决定能否“顶住”的关键是：在目标Δt内输出所需能量，并且在允许的温升与电压跌落范围内通过足够大的脉冲电流。　　高功率输出：在GPU负载突变、电网波动时，传统铅酸电池由于化学反应速度慢、内阻高，其动态电荷接受能力会迅速恶化，导致在毫秒时间内无法及时响应。混合型超级电容能够在1-50ms内完成瞬时补偿，随后BBU备用电源提供分钟级备电，保障母线电压平稳，显著降低主板和GPU死机风险。　　体积与重量优化：体积与重量优化：在以“同等可用能量(由 V_hi→V_lo 电压窗口决定)+相同瞬态窗口(Δt)”为对比口径时，LIC 缓冲层方案相较传统电池备电通常可显著降低体积与重量(体积可减少约 50%～70%，重量可减轻约 50%～60%，典型值无公开出处，需项目验证)，释放机柜空间与风道资源。(具体比例取决于对比对象规格、结构件与散热方案，建议在项目口径下对比验证。)　　充电速度提升：LIC具备高倍率充放电能力，回充速度通常高于电池方案(速度提升5倍以上，可实现接近十分钟快充，来源：混合型超级电容对比铅酸电池典型值)。回充时间由系统功率余量、充电策略与热设计共同决定，建议以“回充到 V_hi 所需时间”作为验收指标，并结合重复脉冲温升进行评估。　　循环寿命长：LIC 在高频充放电工况下通常具备更高循环寿命与更低维护压力(100万次循环寿命，6年以上寿命，是传统铅酸电池方案的约200倍，来源：混合型超级电容对比铅酸电池典型值)。循环寿命与温升极限请以具体规格与测试条件为准，从全生命周期角度有助于降低运维与故障成本。　　图2：混合储能系统示意：　　锂电池(秒–分钟级)+ 锂离子电容LIC(毫秒级缓冲)　　以英伟达GB300参考设计的日本武藏CCP3300SC(3.8V 3000F)为对标，在公开规格参数维度具备更高容量密度、更高电压以及更高容量：4.0V的工作电压与4500F的容量，带来了更高的单体能存储能量，在相同模组体积下提供更强的缓冲能力，确保毫秒级响应能力不打折扣。永铭SLF系列混合型超级电容关键参数：额定电压：4.0V;标称容量：4500FDC内阻/ESR：≤0.8mΩ持续放电电流：200A工作电压范围：4.0–2.5V　　采用永铭混合型超级电容的 BBU 就近缓冲方案，可在毫秒级窗口内对直流母线(DC Bus) 提供大电流补偿，提升母线电压稳定性;在同等可用能量与瞬态窗口的对比口径下，缓冲层通常更有利于降低空间占用并释放机柜资源;同时更适配高频充放电与快速恢复需求，降低维护压力。具体效果请以项目口径验证为准。　　选型指南：场景精准匹配　　面对AI算力极限挑战，供电系统的创新至关重要。永铭SLF 4.0V 4500F混合型超级电容，以扎实的自主技术，提供了高性能、高可靠的国产化BBU缓冲层解决方案，为AI数据中心实现稳定、高效、集约化的持续进化提供了核心支撑。　　如您需要获取详细技术资料，我们可提供：规格书、测试数据、应用选型表、样品等支持。同时请您提供：母线电压、ΔP/Δt、空间尺寸、环境温度、寿命口径等关键信息，以便我们快速给出配置建议。　　Q&A板块　　Q：AI服务器的GPU负载可能在毫秒内飙升150%，传统铅酸电池响应跟不上。永铭锂离子超级电容具体的响应时间是多少，如何实现这种快速支撑?　　A：永铭混合型超级电容(SLF 4.0V 4500F)依托于物理储能原理，内阻极低(≤0.8mΩ)，能够实现1-50毫秒级别的瞬时高倍率放电。当GPU负载突变导致直流母线电压骤降时，它可以近乎无延迟地释放大电流，直接对母线进行功率补偿，从而为后端BBU电源的唤醒与接管争取时间，确保电压平滑过渡，避免因电压跌落引发的运算错误或硬件死机。　　文末摘要　　适用场景：AI 服务器机柜级 BBU(备用电源单元)，直流母线(DC Bus)存在毫秒级瞬态功率冲击/电压跌落风险的场景;适用于“混合型超级电容 + BBU”的就近缓冲架构，用于短时断电、电网波动、GPU 负载突变下的母线稳压与瞬态补偿。　　核心优势：毫秒级快速响应(补偿1-50ms 瞬态窗口);低内阻/大电流能力，提升母线电压稳定性并降低意外重启风险;支持高倍率充放电与快速回充，缩短备电恢复时间;相较传统电池方案更适合高频充放电工况，有助于降低维护压力与全生命周期成本。　　推荐型号：永铭方形混合型超级电容SLF 4.0V 4500F
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发布时间：2026-01-15 14:28 阅读量：363 继续阅读>>
永铭 MPS 系列超低 ESR 叠层固态电容：为 <span style='color:red'>AI</span> 服务器 CPU/GPU 供电提供纳秒级瞬态支撑与高频噪声抑制
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永铭 MPS 系列超低 ESR 叠层固态电容：为 AI 服务器 CPU/GPU 供电提供纳秒级瞬态支撑与高频噪声抑制

　　在 AI 算力持续爆发与供应链自主可控的双重背景下，AI 服务器主板 CPU/GPU 供电电路(VRM，Voltage Regulator Module，电压调节模块)的 DC-DC 输出端，正面临着更严苛的供电考验。公开行业资料显示，AI 芯片核心电压呈低压化趋势(典型约 0.8–1.2 V)，单相电流能力可达到百安级。以往，满足此类高端 VRM 输出端需求的低 ESR 叠层/固态类电容方案主要由少数国际一线品牌长期主导。为应对纳秒级电流瞬变(di/dt)、MHz 级开关噪声、长期高温应力三大挑战，国内 AI 服务器厂商亟需性能达到国际同等标准，同时具备快速响应、稳定供应与成本优势的国产化取代方案。　　注：以上电压/电流/频率为行业公开资料与典型 VRM 设计区间，具体以实际平台设计为准。　　理念升级：从基础滤波到精准保障，重新定义供电末端电容价值　　AI 服务器的高算力需求，使供电链路的瞬态响应速度与噪声控制精度要求显著提升。VRM 输出端的电容网络不再只是滤波/储能的通用配置，而是 AI 芯片供电的最后储能缓冲池与高频噪声泄放通道：既要在 VRM 响应延迟的空窗期快速补充能量，又要在高频段为噪声提供低阻抗路径。　　因此，供电末端电容的选型理念应从满足基础电路需求升级为匹配 AI 芯片极致供电目标，聚焦精准瞬态支撑与高频噪声抑制两大核心。　　三大核心指标：为什么 AI 服务器 VRM 输出端需要高端低 ESR 电容?　　1)纳秒级瞬态支撑：降低电压下陷风险　　在部分 AI 负载/平台的典型工况中，电流阶跃可呈现纳秒级特征(以平台与测试为准)。当 AI 计算单元在 10–100 ns 量级快速激活时，VRM 控制环路响应往往处于微秒级。若输出端电容的等效串联电阻(ESR)偏高，电荷释放速度不足，容易造成核心电压下陷，进而触发降频、错误或不稳定风险。因此，mΩ 级超低 ESR(例如 ≤3 mΩ)是满足此类瞬态供电要求的重要技术门槛之一(以目标阻抗与实测为准)。　　2)MHz 级噪声抑制：有助于提升信号完整性　　VRM 开关频率可达 MHz 量级(典型工作区间以平台设计为准)，带来的高频纹波与谐波可能耦合到 PCIe、DDR 等高速信号通道。若电容在 MHz 频段阻抗偏高，噪声难以及时吸收与泄放，可能导致信号完整性下降与误码风险上升。因此，电容在高频段保持低阻抗特性，是保障高速系统信号纯净度的重要条件。　　3)高温高纹波与长寿命：匹配 7×24h 可靠性与 TCO　　数据中心 AI 服务器 7×24h 不间断运行，电容长期处于 85–105°C 高温环境及高纹波电流应力下。若材料体系与结构设计不足，可能出现容量衰减、ESR 上升乃至早期失效，成为系统可靠性短板。因此，满足 105°C/2000 h 等寿命等级，并具备 >10 A(@45°C/100 kHz，视具体型号)纹波承载能力，是降低宕机风险与优化全生命周期运维成本(TCO)的关键。　　方案落地：永铭 MPS 系列——达到国际标准，更具备本土化高价值的替代选择　　针对 AI 服务器 CPU/GPU 的 VRM 输出端供电需求，以及本土厂商对供应链安全与成本优化的迫切诉求，永铭电子推出 MPS 系列超低 ESR 叠层固态电容。该系列在关键电性能与可靠性指标上对标国际主流高端产品，并在交付响应、技术支持与本土供应链稳定性方面提供附加价值。　　表 1|关键规格对标(2.5V/470µF 示例)　　表 2|实测参数(示例条件)　　表 3|容量-温度数据表(单位：µF;温度点：-55/-25/0/20/45/65/85/105°C)　　表 4|ESR-温度数据表(单位：mΩ;测试频率：100kHz;温度点同上)　　表 5|105°C 直流 2000 h 寿命验证趋势(节选)　　关键对标数据文本摘要　　• ESR：在 20°C/100kHz 条件下，永铭MPS 实测 ESR 约 2.4 mΩ;对标样品约 2.1mΩ。规格书 ESR Max 均为 3 mΩ(以具体规格书为准)。　　• 纹波电流：两者在 45°C/100kHz 的额定纹波电流指标为 10.2 A_rms(以具体型号规格书为准)。　　• 寿命：两者寿命等级均为 105°C/2000 h(以具体规格书为准)。　　结语：在国产化趋势下，为 AI 服务器供电可靠性提供可替代、可交付、可验证的选择　　在 AI 服务器的算力竞争与供应链自主化趋势下，供电链路元件的性能与来源同样关键。选择一款在核心电性能与可靠性上达到国际同等标准，同时在供应安全、成本优化与服务响应上具备本土优势的电容方案，正成为 AI 服务器厂商提升竞争力的重要抓手。永铭 MPS 系列致力于成为您的可靠替代选择。　　如需为您的 AI 服务器项目评估供电完整性(PI，Power Integrity，电源完整性)方案，获取 MPS 系列规格书、测试报告或样品，欢迎与我们联系。建议提供：核心电压范围、瞬态电流需求、PCB 布局空间、温升与寿命目标，我们将提供针对性的选型与验证建议。　　Q&A　　Q：在 AI 服务器中，如何选择 CPU/GPU 供电的 DC-DC 输出端电容?　　A：建议重点关注三大核心指标：　　1)超低 ESR(例如 <3 mΩ)，以满足瞬态供电与目标阻抗要求(以平台实测为准);　　2)高纹波电流能力(例如 >10 A @45°C/100kHz，视具体型号)，适配长期高负荷运行;　　3)高温长寿命(例如 105°C/2000 h 等级)，匹配数据中心 7×24h 工作模式。　　MPS 系列叠层固态电容围绕上述主流指标设计，并结合本土化支持，可作为高性价比替代方案参考。　　核心摘要　　适用场景：AI 服务器/高性能计算服务器 CPU/GPU 的 VRM(DC-DC)输出端滤波与储能。　　核心优势：超低 ESR(mΩ 级)瞬态支撑;高频低阻抗噪声抑制;高温高纹波与寿命等级对齐国际主流标准;并具备本土供应链稳定与快速响应。　　推荐产品：永铭电子(YMIN)MPS 系列超低 ESR 叠层固态电容(2.5V/470µF 示例：MPS471M0ED19003R)。　　数据口径与商标声明　　1)数据来源：本文规格参数来自公开规格书;表 2–5 中的曲线/寿命趋势数据为我方对样品进行的对标测试结果(样品通过公开渠道采购)，用于技术交流与选型参考。　　2)测试说明：不同测试平台、样品批次与测试条件可能导致差异;本文数据仅对应所述条件与样品，不代表所有批次与全部型号。　　3)商标声明：Panasonic、GX 等为其权利人商标/系列名称。文中提及仅用于识别对标对象与技术对比说明，不构成任何形式的关联、背书或贬损。
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发布时间：2026-01-12 10:34 阅读量：394 继续阅读>>
永铭丨1U <span style='color:red'>AI</span> 服务器电源设计的突破：电容小型化如何不翻车？
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永铭丨1U AI 服务器电源设计的突破：电容小型化如何不翻车？

　　随着AI算力需求不断增长，服务器电源的设计面临着前所未有的挑战。在1U高度的服务器电源设计中，如何满足高功率密度、高负载稳定性，并且在有限的空间内做到小型化，一直是工程师们亟待解决的问题。　　1U电源设计：电容成为小型化的核心限制因素　　在1U AI 服务器设计的高功率密度电源方案中，电容器往往是最难压缩的元件之一。即便GaN等新型功率器件不断提高开关频率与效率，服务器的体积和散热空间却没有同步放宽。　　在这一设计中，电容不仅仅是配套元件，而是直接决定电源方案能否成功的关键因素。　　1. 电容小型化面临的挑战　　在实际的AI 服务器电源项目中，工程师通常要面对以下挑战：　　· 功率密度提升　　· 电源模块体积压缩 50% 以上　　· 长期高温下稳定运行，105℃工作环境　　· 高纹波电流承受能力，长期高负载运行　　· 容量衰减可控，保持系统稳定性　　在这些要求下，电容的尺寸压缩直接影响整个系统的设计。更小的电容体积意味着容量和纹波电流能力可能无法同时满足需求，这给设计带来了极大的挑战。　　2. GaN 电源的优势与对电容要求的提升　　随着GaN(氮化镓)技术的引入，电源开关频率、效率和体积得到了提升，但这也对电容器的性能要求提出了更高的标准。　　对于GaN电源而言，电容器不仅需要具备更高的容量密度，还需要承受更大的纹波电流和更长的使用寿命，以确保系统的稳定性。　　永铭IDC3系列电容，解决高功率密度电源方案的核心难题　　为了应对这些挑战，永铭电子推出了IDC3系列液态铝电解电容，专为 GaN AI服务器电源设计。这款电容的核心优势是高容量密度与高纹波电流承载能力，能够在高温、高负载的严苛环境下稳定运行，成为高功率密度电源设计中的“关键一环”。　　产品信息　　系列：IDC3　　规格：450V / 1400μF　　尺寸：30 × 70 mm　　结构形式：牛角型液态铝电解电容　　1.电容小型化的“底层能力”——容量密度提升70%　　IDC3 系列电容在容量密度上的提升让我们能够在不增加体积的前提下，提供更高的容量和纹波电流承载能力。与日系同类产品相比，IDC3 系列的容量密度提升了70.7%，从13.64μF/cm³提升到23.29 μF/cm³。这使得电源模块体积可以缩小约 55%，并且不影响性能稳定性。　　2.长期高负载运行中的稳定性：纹波电流和高温寿命　　在高负载、高温环境下，电容的稳定性至关重要。IDC3 系列电容能够承受高纹波电流(19A)，有效减少并联电容数量，优化电源布局，降低局部热堆积风险。　　此外，在 105℃ 的工作温度下，IDC3的寿命大于3000小时，并且容量衰减控制在8%以内，确保在长期运行中仍能维持稳定的电源性能。　　3.系统级的收益：不仅仅是电容的优化　　在 纳微(Navitas)氮化镓 AI 服务器电源方案 中，IDC3 系列电容的引入带来了以下多方面的改进：电源效率提升1%~2%、系统温升降低约10℃、电源模块体积大幅缩小。　　这些优化最终带来了整个服务器系统的稳定性和长期可靠性，充分证明了电容在高功率密度电源设计中的核心地位。　　结语：电容在1U AI服务器电源设计中的关键作用　　在高功率密度与高负载并存的1U AI 服务器电源设计中，电容不仅仅是一个元件，更是决定电源能否长期稳定运行的“关键一环”。　　永铭IDC3 系列电容，凭借其优越的容量密度、纹波电流承载能力和高温稳定性，成为了AI服务器电源设计中的重要助力。
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发布时间：2026-01-12 10:30 阅读量：351 继续阅读>>
永铭丨设计下一代<span style='color:red'>AI</span> SSD，如何选对PLP电容？
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永铭丨设计下一代AI SSD，如何选对PLP电容？

　　随着 OpenAI 掀起的大模型浪潮，以英伟达 Blackwell 架构为代表的新型 AI 数据中心正处于爆发式部署阶段。这种全球规模的算力基础设施扩容，对 PCIe 5.0/6.0 企业级 SSD 的吞吐性能、极端环境稳定性及数据安全性提出了前所未有的严苛要求。　　在万兆级持续读写的高负载环境中，断电保护 (Power Loss Protection, PLP) 电路作为数据存储的最后一道防线，正面临从“工业级”向“算力级”的品质跃迁。其核心关键在于 PLP 电容 Bank (储能电容组)，该电路直接并联在 SSD 控制器与 NAND 闪存的供电输入端，作为异常掉电时的紧急“能量水库” 。　　核心挑战：AI负载对PLP电容的双重极限要求　　在设计面向 AI 训练服务器的下一代超大容量企业级 SSD (采用 E1.L 或 U.2 形态) 时，PLP电路设计主要面临两大维度的挑战：　　1. 核心性能挑战：如何在极限空间内实现长效、快速的能量保障?　　这一挑战直接关系到数据在“断电瞬间”能否被安全保存，包含三个紧密关联的维度：　　容量瓶颈(能量密度)：企业级 SSD 内部空间极其紧凑。据行业公开资料显示，许多常规铝电解电容方案受限于材料与工艺，在标准尺寸(如12.5×30mm)下的容量有限，难以在既定空间内为TB级数据回写储备足够能量。　　寿命焦虑(高温耐受)：AI服务器7×24小时运行，环境温度常高于80°C。常规铝电解电容在长期高温下的电解液挥发与材料老化，可能导致其实际寿命无法匹配SSD长达5年以上的质保要求，带来隐性故障风险。　　响应迟滞(耐冲击)：万兆读写下的掉电保护窗口仅毫秒级。若常规铝电解电容的等效串联电阻 (ESR) 偏高，其放电速度将无法满足瞬时峰值电流需求，直接导致回写过程中断与数据损坏。　　2. 环境适应性挑战：如何突破温度边界，拓展AI存储的部署疆域?　　随着AI算力向边缘延伸，存储设备需部署在基站、车载、工厂等严酷环境。这对电容提出了独立的“环境准入”要求：　　耐宽温能力缺失：传统电容的工作温度范围(通常为-40℃ ~ +105℃)难以覆盖极寒与酷热环境。在户外-40℃以下严寒中，电解液可能凝固导致功能失效;在持续高温烘烤下，寿命会急剧衰减，限制了产品在广阔边缘场景的应用。　　技术剖析：永铭高性能铝电解电容的四维优势　　针对上述痛点，永铭 (YMIN) 通过材料体系与工艺革新，提出了以高容量密度为核心的四维解决方案。　　核心特性一：高能量密度(首要设计基石)　　在 PLP 电路中，电容必须在有限的 PCB 空间内实现最大化储能。　　技术突破：永铭 LKM 系列利用高密度电极箔工艺，在 12.5×30mm 标准尺寸下，将额定容量从行业常规的3000μF提升至3300μF。　　设计收益：物理尺寸完全相同，容量提升>10%，为超大容量 NAND 闪存提供了更充裕的断电保护安全余量。　　图1：永铭解决方案与行业常规水平对比(容量维度)　　核心特性二：耐高温长寿命(匹配企业级可靠性)　　长效运行：LKM 系列在 105°C 环境下实现 10,000 小时超长寿命，较常规方案提升 2倍以上，完美匹配企业级 SSD 的质保周期。　　极高可靠性：其失效率 (FIT) 由常规的≈50降至 <10 (优于车规级标准)，确保在整个生命周期内储能极其稳定。　　图2：永铭解决方案与行业常规水平对比(寿命维度)　　核心特性三：耐冲击与快速响应(保障瞬时供能)　　超低 ESR：通过优化高电导电解液，永铭将 ESR 优化至25mΩ (比行业常规水平35mΩ提升>28%) 。　　响应能力：更低的内阻确保了在毫秒级窗口内快速释放能量，有效防止掉电瞬间的电压塌陷。　　图3：永铭解决方案与行业常规水平对比(ESR维度)　　核心特性四：耐宽温(边缘计算的环境自适应)　　极宽温域：永铭 LKL(R) 系列具备-55℃~+135℃的工作范围，远超常规电容。　　低温启动：采用特种低温电解液配方，确保在-55℃极寒下 ESR 变化平缓，保障系统在严寒环境下的瞬时启动与放电安全。　　图4：永铭解决方案与行业常规水平对比(寿命维度)　　客户关切 Q&A　　Q：为什么 PCIe 5.0 SSD 在选型断电保护电容时，必须优先考虑“容量密度”?　　A： 核心原因在于大容量 SSD (如 8TB+) 的 NAND 闪存在断电瞬间需要回写的数据量激增，而板卡物理空间极其固定。普通液态铝电解电容因常规电极箔比容限制导致储能效率低;优先选用永铭 LKM 系列，其在同尺寸下容量提升>10%，可在不改变现有布局的前提下，为系统提供更充足的备份能量冗余。　　Q2： AI服务器为何需考虑电容的“耐宽温”特性?　　A2： 当AI算力与存储部署至边缘(如车载、户外基站)时，设备会直面-30℃以下严寒或70℃以上高温。普通电容在此环境下性能会严重衰退，导致断电保护失效。因此，为这类边缘AI服务器选型时，必须评估电容的耐宽温能力。永铭LKL系列(-55℃~135℃)专为此设计。　　选型指南：场景精准匹配　　场景A：AI服务器与数据中心核心SSD　　关键挑战：空间绝对受限，要求电容在紧凑布局内提供最大能量储备、最长运行寿命与最快放电速度。　　方案推荐：永铭LKM系列(高容量型)，典型型号 35V 3300μF (12.5×30mm)。它在同尺寸下容量提升>10%，ESR≤25mΩ，寿命达10000小时@105°C，一站式满足核心算力存储对密度、寿命与速度的极致需求。　　场景B：边缘计算、车载与户外基站存储　　关键挑战：环境温度极端(严寒至-55℃，高温至135℃)，要求电容在全温域内性能稳定、可靠工作。　　方案推荐：永铭LKL(R)系列(极宽温型)，典型型号35V 2200μF (10×30mm)。其工作温度范围覆盖 -55℃~135℃，特种电解液确保极寒下ESR仍保持稳定，为边缘AI存储提供可靠的环境适应性保障。　　结构化技术概要　　为便于技术检索与方案评估，本文核心信息摘要如下：　　核心场景：采用E1.L/U.2形态的PCIe 5.0/6.0企业级SSD，用于AI训练服务器、高性能数据中心(核心场景)。部署于边缘计算节点、车载智能系统、户外通信基站的宽温存储设备(拓展场景)。　　永铭方案核心优势：　　高容量密度：LKM系列在12.5×30mm标准尺寸下提供≥3300μF容量，较同尺寸常规产品提升>10%。　　耐高温长寿命：105°C环境下寿命≥10000小时，失效率<10 FIT，满足长期可靠运行要求。　　耐冲击与快速响应：ESR≤25mΩ，确保毫秒级掉电窗口内的快速能量释放。　　极耐宽温：LKL(R)系列工作温度达-55℃~135℃，攻克低温电解液凝固难题。　　推荐评估型号：　　永铭LKM系列：适用于追求极致空间利用率与长期可靠性的数据中心核心存储场景。典型型号：35V 3300μF (12.5×30mm)。　　永铭LKL(R)系列：适用于需要应对极端温度挑战的边缘计算与车载存储场景。典型型号：35V 2200μF (10×30mm，工作温度-55℃~135℃)。
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发布时间：2026-01-12 10:23 阅读量：363 继续阅读>>

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